BCD技术与成本对比分析（2020版）

　　本报告深入分析了BCD器件的创新技术，对比了由全球领先制造商（包括英飞凌、意法半导体、艾尔默斯、博世、恩智浦、艾赛斯、飞思卡尔、德州仪器、凌力尔特、亚德诺、美信\高塔半导体、电装、瑞萨、丰田和东芝）生产的31款产品。 

　　2020版报告新增了旧版报告中7家制造商的8款新技术，以及3家新制造商（艾赛斯、美信和东芝）。报告专注200V至600V的高压技术，其中英飞凌的绝缘体上硅(SOI)解决方案为600V，艾赛斯为200V， 东芝为500V。技术节点从2.5μm到90nm，器件范围从单片式功率晶体管到具有高压模拟输入输出的微控制器。 

　　本报告旨在帮助大家理解主要BCD制造商的技术革新和制造成本，从而为在设计和工艺集成过程中的元器件优化奠定基础。报告详细说明了每款器件的制造工艺、材料、芯片设计和技术方案,估算了各项技术的晶圆成本，突出了技术创新的影响。本报告侧重技术分析，描述了技术创新对器件成本的影响，包括了主要参数、晶体管、金属层、绝缘和无源器件的技术和成本比较。

• 关于《BCD技术与成本对比分析（2020版）》

本报告为逆向分析报告，从基板、晶体管、金属化和无源器件层面介绍了BCD技术演变。本报告关注3种SOI高压BCD技术方案，提供详细的照片。报告对晶体管结构及金属层进行了SEM分析。报告对比了多种技术方案，并作制造成本分析。

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以上图文译自Yole Développement的BCD Technology and Cost Comparison 2020，原文请参考： 

https://www.i-micronews.com/products/bcd-technology-and-cost-comparison-2020/ 

• 关于华进

华进半导体于2012年9月在无锡新区正式注册成立，开展系统级封装/集成先导技术研究，研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术（包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等），为产业界提供系统解决方案；同时开展多种晶圆级高密度封装工艺与SiP产品应用的研发，以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。

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