薄膜集成无源器件（2020年版）

　　薄膜集成无源器件（IPD）市场2019-2025年复合年增产率达6.5% 

　　虽然薄膜IPD技术提供了独特的功能，其在被动元器件市场的渗透仍非常有限。不过，在这个庞大产业中，市场份额再微不足道，也能代表显著成就。随着时间推移，薄膜IPD已经设法渗透了一些应用。如今，以射频模块为特色的定制FR IPD成为增长强劲的主战场，尤其针对未来5G应用。例如，大频带滤波器和用于阻抗匹配的集总元件电路。该市场复合年增长率（2019年-2025年）有望突破8.2%，2025年市场规模超3.6亿美元。另一个主要市场是非定制IPD市场，主要针对严苛的电磁干扰屏蔽、平衡器或滤波器等基础的射频操作。到2025年，这一市场将达到1.95亿美元，2019 - 2025年复合年增长率为3.15%。

　　在定制RF IPD之后，现今最活跃的市场是针对应用处理器的嵌入式去耦电容，这要归功于先进的3D集成技术，赋予该市场较高的间接价值。IPD本身不占据很大成本，但它的实施对代工厂的选择至关重要，故被元件制造商视为战略技术。到2025年，这个市场有望增长到2170万美元， 2019-2025年复合年增长率15.2%。最后一个值得关注的是针对医疗、工业、航空等其他所有领域的去耦电容市场，预计2025年市场规模达3000万美元，同期复合年增长率为6.9%。

2019-2025薄膜IPD市场预测（产品细分）

　　IPD市场上活跃着各种各样的企业，包括为高端市场开发定制解决方案的创业公司(3DiS、XPeedIC、村田分公司IPDia等)、生产含IPD射频模组的IDM（Qorvo Skyworks, Broadcom等）、OSAT（ASE、安靠等）和代工厂(台积电,意法半导体)。企业性质不同，关注点和长期策略也不尽相同。一般来说，IPD初创公司是小型技术公司，采用创新的方法，面向高端市场，但尚未在利基市场找到增长点。通常，这些公司寻求市场多样化、探索消费机会，或者将自有技术授权给OSATs和代工厂。

　　OSAT和代工厂将IPD视为其投资组合的必要组成部分，而非依靠其直接创收。近期的案例表明，IPD已经成为一项战略技术。这就是台积电和苹果公司的案例:台积电成功掌握了针对去耦电容的IPD 3D集成技术，从而赢得了利润丰厚的苹果应用处理器市场。虽然IPD本身不创造直接价值，但其影响巨大。对于IDM和RF元件制造商来说，IPD被认为是一种在某些特定情况下减小尺寸和提高性能的技术。

IPD供应链

　　IPD面临LTCC（低温共烧陶瓷）竞争，而LTCC自身也面临着低成本的SMD（表面贴装器件）竞争。事实上，在任何复杂系统中，无源器件都不是关键的部件。无源器件在电子学发展早期就已经存在，其尺寸小、价格便宜、性能高。对大批量应用而言，成本是最重要的标准之一，因此总是***************的解决方案。这意味着，只有在别无他选的情况下，才会选择LTCC而不是SMD；同样，只有在特定情况下，才会选择IPD而不是LTCC。对于小批量、高性能的解决方案，IPD定位的问题就全然不同，选择权在于制造商。 

• 关于Thin-Film Integrated Passive Devices 2020

　　二十多年来，IPD一直是一项相当有前景的技术，只是在等待大规模实施。在过去的8年里，Yole仔细研究了这项技术，评估其渗透率和发展前景。上一版IPD报告要追溯到2017年，其中包括对该技术的广泛技术分析。在2020年报告中，将对市场潜力和IPD技术的现状进行更全面的评估。

• 报告涉及企业

Active Semi, Airoha, Akoustis, Apple, ASE, Asus, AT&T, AwinIC, Broadcom, CanaanTek, Cavendish Kinetics, China Mobile, China Telecom, China Unicom, CoolPad, Cypress Semiconductor, DB-HiTek, EE, Elisa, Ericsson, Etisalat, GlobalFoundries, Global Wafer, Google, HH Grace, HiSilicon, HMD Global, HTC, Huawei, Huntersun, Infineon, Intel, IQE, Jio, JRC, KDDI, KT, Kyocera, Lansus, Lenovo, LG, LG U+, Maxscend, MediaTek, Meizu, Murata, NationZ, Nokia, NSI, NTT Docomo, NXP, ON Semiconductor, OnePlus, Onmicro, Oppo, Orange, pSemi, Qorvo, Qualcomm, RDA, Resonant, Richwave, RoFS, Samsung, Samsung Electro Mechanical, SAWNICS, Shin-Etsu, Shoulder, SK Telecom, Skyworks, Smarter Micro, SMIC, SoftBank, Soitec, Sony, Sprint, STMicroelectronics, Sumitomo, Sunrise, Swisscom, Taiyo Yuden, TCL, TDK EPCOS, Telefonica, Telia, Telstra, TIM, T-Mobile, Toshiba, Tower Semi, Tpsco, TSMC, UMC, Unisoc, USI, Vanchip, Verizon, Vivo, Vodafone, WillSemi, WIN Semiconductors, WIPAM, Wisol, Xfab, Xiaomi, Xpeedic, Yuzhen IC, ZTE and more.

• 相关报告

5G’s Impact on RF Front-End and Connectivity for Cellphones 2020

RF Integrated Passive Devices: Reverse Costing Overview

Silicon Capacitor Technology and Cost Review

• 购买方式

如需样刊或购买报告，请联系华进战略部：0510-66679351 Xiaoyunzhang@ncap-cn.com

以上图文译自Yole Développement的Thin-Film Integrated Passive Devices 2020

原文请参考：https://www.i-micronews.com/products/thin-film-integrated-passive-device-2020/ 

• 关于华进

　　华进半导体于2012年9月在无锡新区正式注册成立，开展系统级封装/集成先导技术研究，研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术（包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等），为产业界提供系统解决方案。同时将开展多种晶圆级高密度封装工艺（包括WLCSP/Fan-out）与SiP产品应用的研发与大规模量产，以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。

　　网址：www.ncap-cn.com

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