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硅IGBT产品对比分析（2021年版）

（图文译自Yole Développement）

战略部　　2021/02/04

硅器件占据了大部分的功率电子市场。根据Yole Développement 2019年的数据，功率半导体器件市场规模175亿美元，复合年增长率4.3%（2019-2025年）。

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像IGBT这样的硅器件受益于成熟的配套设施和工艺，新一代器件正涌入市场。除了性能的改进，硅IGBT的成本将进一步降低，这要归功于向12吋硅晶圆的过渡。与此同时，硅IGBT和WBG的竞争更加激烈。硅IGBT厂商根据目标电气性能和应用提供不同的器件设计方法,其中大部分采用了Field-Stop Trench结构。

本报告介绍了11个主要IGBT厂商的8个电压等级的31个硅IGBT晶体管，分析了他们的技术现状、设计和制造过程差异，以及对器件尺寸和生产成本的影响；并对17个IGBT产品进行了详细的物理分析。

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l 关于Silicon IGBT Comparison 2021

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2021年一季度报告清单
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SPR21577	Innolight tranceiver 400 G T-DP4CNT-N00
SPR21554	GaN EPC2152 mono Gan on SOI
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SPR21585	ams mini camera NanEye
SPR21583	SK hynix Gold P31 SSD 128 layers
SPR21586	Automotive Micromirror DLP DLP5531-Q1
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SPR21603	Philips NaturalTrust UVC LED Module
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以上图文译自Yole Développement的Silicon IGBT Comparison 2021，原文请参考：https://www.i-micronews.com/products/si-igbt-comparison-2021/

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