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工艺测试芯片

华进可以提供如下规格的标准假片；如有其它需求，亦可定制。

RDL

TSV

1. RDL

规格书：

Item	Single Side RDL	Double Side RDL
Min Si Thickness	60um	60um
Copper Thickness	>6um	>6um
Copper Line/Space	Min 10um/10um	Min 10um/10um
Chip Size	Target ±20um	Target ±20um
Min Chip Size	0.6mm×0.3mm	0.6mm×0.3mm
Tape&Reel	Min die thickness 90um	Min die thickness 90um

结构示意图：

2. TSV

规格书：

Item	TSV 10:100	TSV 20:200
Wafer size	300mm	300mm
Si Thickness	100um±10um	200um±10um
Via size	10um±1.5um	20um±3um
Metal layers	Top side：3 Bottom side：2	Top side：3 Bottom side：2
Copper Line/Space	Min 10um/10um	Min 10um/10um
Micro Bump Pitch	Min 40um	Min 40um

结构示意图：

20190829_4

3. Bumping

规格书：

Item	Wafer Bumping
Wafer Size	300mm/200mm
Bump Pitch	Min 80um
Bump Size	Min 50um
Bump Height	<80um
RDL Line/Space	Min 10um/10um

结构示意图：

20190830_5

4. Oxide Wafer

规格书：

Item	Oxide Wafer	Oxide Wafer
Wafer size	300mm	200mm
SiO2 Thickness	0.1um~6um	0.1um~6um

5. Cu Wafer

规格书：

Item	Cu Wafer	Cu Wafer
Wafer size	300mm	200mm
Cu Thickness	≥1um	≥1um